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希望支持256bit写入粒度FDB_WRITE_GRAN
STM32H743系列芯片,扇区大小高达128KB,一次最小写入32字节。 使用flashdb会出现编译出错 #error "the write gran can be only setting as 1, 8, 32, 64 and 128"
按照我的理解,flashdb使用fal抽象出来的flash操作接口。 fal的底层已经处理了操作粒度问题。应用上不应该还会有芯片相关的操作粒度差异导致的问题。